第162章 军工需求
第162章军工需求
“过去我们也找过国内的几个研究所,他们都没有办法解决这个问题,给出的方案体积大不说,功耗也出奇的高。
当我们实测你们的主板总功耗和CPU的功耗,发现功耗远远低于我们的预期。而且让我们更为惊奇的是,CPU的集成度非常高。
冒昧问一句,你们CPU的集成度到底有多高?”,这就是搞技术的通病,容易被技术细节带偏。
“30000多个晶体管”,这也没有什么好保密的。
“丝”二人齐齐吸了一口冷气,他们一直在了解半导体动态,知道目前最高的集成度才2000多个晶体管,没想到国内居然如此超前。
这让他们更有信心。
“李工,我们的需求只能靠您了”,年轻的肖兵语气激动地说道,看那神情,恨不得扑上来拥抱李国成,吓得李国成一激灵。
“说说具体的需求”,李国成赶忙转到正题上。
“重新设计主板,把不需要的器件去掉,功耗最好控制在10W以内,5V供电,需要预输入弹道信息,接口要简单。当然控制用计算机也得重新设计。”
“曙光103型就可以,不用重新设计,已经预留了接口。至于弹载计算机,现在的结构肯定不行,硬盘接受不了那么大的加速度”。
“一看您就是行家,现在知道加速度的人可不多”,肖兵兴奋的说道。
“我也是书看得多”,说漏嘴的李国成赶忙补救。
“还有其他需求吗?”,李国成问道。
“暂时没有了”,二人说道。
“我不敢保证一定行,但是我们试得实现,三个月吧,到时我们再讨论一下最终方案”,李国成给出了一个保守的时间。
二人互相看来一眼,满眼的惊喜。
看到二人的眼神后,李国成知道自己时间报少了,他忽略了这个时代研发的艰难性。看来以后实现和交付时要多说一点时间。
看来必须要研究FLASH技术了,以后工业和军工对微电脑的需求会越来越急迫。
二人心满意足的离开了轧钢厂。
“小李,大胆去做,到时做不到也没有关系,毕竟那么多研究所都搞不定”,李怀德拍了拍李国成的肩膀,安慰道。
“好的,主任,我会尽力”。
“我们厂能够接受军方订单,那意味为我们轧钢厂加了一道保险,只要不出重大质量或安全问题,以后10~20年轧钢厂就会高枕无忧”。
研究所的人离开后,李怀德现在才释放出他内心的激动。边在房间里走动,边挥舞着右手,左手却擦在腰上。
他没有说出的是,只有半导体实验室在,只要李国成在,他的官途也是一片坦途。
回到实验室的李国成陷入了深思。
后世非易失性存储器的发展思路,是从PROM开始,到EPROM,再到现在的EEPROM。
PROM只能写入一次。
EPROM可通过特定强度的紫外线照射芯片使其还原。就是大家见过的,在芯片的表面开一个窗口,用于紫外线擦除。
EEPROM是电可擦写只读存储器,是现在的主流应用,NORFLASH和NANDFLASH归类到这个大类里。
NORFLASH读取速度快,单位成本高,可直接运行代码,更偏向于片内代码存储。
NANDFLASH容量大,读取速度较慢,单位成本低,更偏向于大容量存储,但是容易出错,需要配合安全算法。
U盘就是NANDFLASH。
前身上大学的时候学习过PMOS、NMOS和浮栅MOS的制造原理,对PROM和EPROM没有了解。而且既然知道后世的发展方向,所以李国成选择直接研究NORFLASH。
主要的原因是NORFLASH更适合放入芯片内部,以后芯片内部直接设计程序存储FLASH。
FLASH原理比较简单,在G极和D/S沟道之间加入一个浮栅,浮栅类似一个被绝缘体包裹的电极,在浮栅上注入电荷,D/S沟道导通,代表‘0’;放电,D/S沟道关闭,代表‘1’。
因为浮栅绝缘,所以电荷不易丢失。
李国成之前没有选择研究FLASH,主要原因是对如何在PMOS上植入一个浮栅没有思路,但是现在绕不过去,只能硬着头皮上了。
接下来的时间,李国成主要的工作就是研究如何植入浮栅。
李国成构思了几个方案,脑海仿真不通过放弃了3个,剩下两个实际生产中放弃。
生产放弃的比如封装时植入绝缘层,然后再植入一个电极。实际操作时,无法满足工业化生产,工序太复杂,对人的操作能力要求太高。
时间很快就过去10天,无计可施的李国成溜达到光刻间,看着张头正在氧化晶圆。看着看着,突然笑了起来,真是得了全不费功夫。
二次氧化就能完美地解决这个问题,工业化生产工艺也成熟,只是增加一道氧化工序。
想到就干,只用了一天时间,一个FLASH单元就制作完成,实际测试,各项指标完全满足设计需求。
接下了的工作就非常简单,比DRAM少了一个NMOS,同样的三层结构,容量直接做到了1MB,比DRAM都大。
接口采用并口,可以直接挂载到CPU的外部总线上。
李国成又用1周的时间就完成了芯片的设计和仿真。正准备雕刻掩膜板时,吴连奎电话通知,晚上参加部里组织的交流班。
李国成走出办公室,来到隔壁软件组,“小周,通知大家,晚上记得上课,不要迟到”。
“时间太急了,我们怎么去啊”,周晓娟苦恼道。
“喊上大家,我们早一点吃晚饭,今天吴主任已经和食堂打过招呼了”。
话音一落,周晓娟高兴地拿着饭盒跑着通知其他二人。
饭后,刚好下班,4个人三辆自行车,闫解放骑车带上张芷静,一路风驰电掣,6点一刻终于赶到了部里培训点。
第四会议室已经被改成教室的样子,一排桌子,一排长凳。主席台上立着一个大木板做成的黑板。
4人来的不早不晚,教室里现在只有10几个人,分出了4堆,互不相干,应该是来之4个单位。
李国成让他们三人坐到第一排,他自己坐到了最后一排。
之后十分钟陆续涌进来20几人,教室座位全部坐满。李国成简单搂了一眼,差不多35人左右。
这时,会议室门被推开,一股冷风把一个中年人送了进来。
感谢大家的支持!!!求推荐!求月票!求评论!
不好意思,昨天事太多,打破了既往节奏,现在才发第一章,见谅。
请收藏本站:https://www.newap.org。笔趣阁手机版:https://m.newap.org
“过去我们也找过国内的几个研究所,他们都没有办法解决这个问题,给出的方案体积大不说,功耗也出奇的高。
当我们实测你们的主板总功耗和CPU的功耗,发现功耗远远低于我们的预期。而且让我们更为惊奇的是,CPU的集成度非常高。
冒昧问一句,你们CPU的集成度到底有多高?”,这就是搞技术的通病,容易被技术细节带偏。
“30000多个晶体管”,这也没有什么好保密的。
“丝”二人齐齐吸了一口冷气,他们一直在了解半导体动态,知道目前最高的集成度才2000多个晶体管,没想到国内居然如此超前。
这让他们更有信心。
“李工,我们的需求只能靠您了”,年轻的肖兵语气激动地说道,看那神情,恨不得扑上来拥抱李国成,吓得李国成一激灵。
“说说具体的需求”,李国成赶忙转到正题上。
“重新设计主板,把不需要的器件去掉,功耗最好控制在10W以内,5V供电,需要预输入弹道信息,接口要简单。当然控制用计算机也得重新设计。”
“曙光103型就可以,不用重新设计,已经预留了接口。至于弹载计算机,现在的结构肯定不行,硬盘接受不了那么大的加速度”。
“一看您就是行家,现在知道加速度的人可不多”,肖兵兴奋的说道。
“我也是书看得多”,说漏嘴的李国成赶忙补救。
“还有其他需求吗?”,李国成问道。
“暂时没有了”,二人说道。
“我不敢保证一定行,但是我们试得实现,三个月吧,到时我们再讨论一下最终方案”,李国成给出了一个保守的时间。
二人互相看来一眼,满眼的惊喜。
看到二人的眼神后,李国成知道自己时间报少了,他忽略了这个时代研发的艰难性。看来以后实现和交付时要多说一点时间。
看来必须要研究FLASH技术了,以后工业和军工对微电脑的需求会越来越急迫。
二人心满意足的离开了轧钢厂。
“小李,大胆去做,到时做不到也没有关系,毕竟那么多研究所都搞不定”,李怀德拍了拍李国成的肩膀,安慰道。
“好的,主任,我会尽力”。
“我们厂能够接受军方订单,那意味为我们轧钢厂加了一道保险,只要不出重大质量或安全问题,以后10~20年轧钢厂就会高枕无忧”。
研究所的人离开后,李怀德现在才释放出他内心的激动。边在房间里走动,边挥舞着右手,左手却擦在腰上。
他没有说出的是,只有半导体实验室在,只要李国成在,他的官途也是一片坦途。
回到实验室的李国成陷入了深思。
后世非易失性存储器的发展思路,是从PROM开始,到EPROM,再到现在的EEPROM。
PROM只能写入一次。
EPROM可通过特定强度的紫外线照射芯片使其还原。就是大家见过的,在芯片的表面开一个窗口,用于紫外线擦除。
EEPROM是电可擦写只读存储器,是现在的主流应用,NORFLASH和NANDFLASH归类到这个大类里。
NORFLASH读取速度快,单位成本高,可直接运行代码,更偏向于片内代码存储。
NANDFLASH容量大,读取速度较慢,单位成本低,更偏向于大容量存储,但是容易出错,需要配合安全算法。
U盘就是NANDFLASH。
前身上大学的时候学习过PMOS、NMOS和浮栅MOS的制造原理,对PROM和EPROM没有了解。而且既然知道后世的发展方向,所以李国成选择直接研究NORFLASH。
主要的原因是NORFLASH更适合放入芯片内部,以后芯片内部直接设计程序存储FLASH。
FLASH原理比较简单,在G极和D/S沟道之间加入一个浮栅,浮栅类似一个被绝缘体包裹的电极,在浮栅上注入电荷,D/S沟道导通,代表‘0’;放电,D/S沟道关闭,代表‘1’。
因为浮栅绝缘,所以电荷不易丢失。
李国成之前没有选择研究FLASH,主要原因是对如何在PMOS上植入一个浮栅没有思路,但是现在绕不过去,只能硬着头皮上了。
接下来的时间,李国成主要的工作就是研究如何植入浮栅。
李国成构思了几个方案,脑海仿真不通过放弃了3个,剩下两个实际生产中放弃。
生产放弃的比如封装时植入绝缘层,然后再植入一个电极。实际操作时,无法满足工业化生产,工序太复杂,对人的操作能力要求太高。
时间很快就过去10天,无计可施的李国成溜达到光刻间,看着张头正在氧化晶圆。看着看着,突然笑了起来,真是得了全不费功夫。
二次氧化就能完美地解决这个问题,工业化生产工艺也成熟,只是增加一道氧化工序。
想到就干,只用了一天时间,一个FLASH单元就制作完成,实际测试,各项指标完全满足设计需求。
接下了的工作就非常简单,比DRAM少了一个NMOS,同样的三层结构,容量直接做到了1MB,比DRAM都大。
接口采用并口,可以直接挂载到CPU的外部总线上。
李国成又用1周的时间就完成了芯片的设计和仿真。正准备雕刻掩膜板时,吴连奎电话通知,晚上参加部里组织的交流班。
李国成走出办公室,来到隔壁软件组,“小周,通知大家,晚上记得上课,不要迟到”。
“时间太急了,我们怎么去啊”,周晓娟苦恼道。
“喊上大家,我们早一点吃晚饭,今天吴主任已经和食堂打过招呼了”。
话音一落,周晓娟高兴地拿着饭盒跑着通知其他二人。
饭后,刚好下班,4个人三辆自行车,闫解放骑车带上张芷静,一路风驰电掣,6点一刻终于赶到了部里培训点。
第四会议室已经被改成教室的样子,一排桌子,一排长凳。主席台上立着一个大木板做成的黑板。
4人来的不早不晚,教室里现在只有10几个人,分出了4堆,互不相干,应该是来之4个单位。
李国成让他们三人坐到第一排,他自己坐到了最后一排。
之后十分钟陆续涌进来20几人,教室座位全部坐满。李国成简单搂了一眼,差不多35人左右。
这时,会议室门被推开,一股冷风把一个中年人送了进来。
感谢大家的支持!!!求推荐!求月票!求评论!
不好意思,昨天事太多,打破了既往节奏,现在才发第一章,见谅。
请收藏本站:https://www.newap.org。笔趣阁手机版:https://m.newap.org